◆ 7 寸彩色触摸屏中英文互动操作界面，自动控制监测工艺参数状态，20 个配方程序，工艺数据可存储追溯。
◆ PLC 工控机控制整个清洗过程，手动、自动两种工作模式。
◆ 真空舱体、全真空管路系统采用 316 不锈钢材质，耐腐蚀无污染。
◆ 采用防腐数字流量计， 实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统， 可选多气路气体输送系统， 可输入氧气、氩气、 氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。
◆ 采用花洒式多孔进气方式，改变单孔进气不均匀问题。
◆ HEPA 高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。
◆ 符合人体功能学的 60 度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。
◆ 采用顶置真空舱，上开盖设计，下压式铰链开关方式。
◆ 上置式 360 度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。
◆ 有效处理面积大，可处理最大直径 154mm 晶元硅片。
◆ 安全保护，舱门打开，自动关闭电源，机器运行、停止提示。
RIE反应离子刻蚀机主要用于微电子芯片、太阳能电池、生物芯片、显示器、光学、通讯等领域的器件研发和制造。
| 型号 | RIE200 | RIE200plus |
| 舱体内尺寸 | H38xΦ260mm | H38xΦ260mm |
| 舱体容积 | 2L | 2L |
| 射频电源 | 40KHz | 13.56MHz |
| 电极 | 不锈钢气浴 RIE 电极， Φ200mm | 不锈钢气浴 RIE 电极， Φ200mm |
| 匹配器 | 自动匹配 | 自动匹配 |
| 刻蚀方式 | RIE | RIE |
| 射频功率 | 0-600W 可调（可选 0-1000W） | 0-300W 可调（可选 0-600W） |
| 气体控制 | 质量流量计（MFC）（标配双路，可选多路）流量范围 0-500SCCM（可调） | |
| 工艺气体 | Ar、N ₂、O ₂、H ₂、CF4、CF4+ H2、CHF3 或其他混合气体等（可选） | |
| 最大处理尺寸 | Φ154mm | |
| 产品尺寸 | L520xW600xH420mm | |
| 包装尺寸 | L700xW580xH490mm | |
| 时间设定 | 9999 秒 | |
| 真空泵 | 抽速约 8m³/h | |
| 气体稳定时间 | 1 分钟 | |
| 极限真空 | ≤1Pa | |
| 电源 | AC220V 50-60Hz，802（1202）502（802）W 所有配线符合《低压配电设计规范
GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。 |
|
| 整机重量 | 38kg | |
